二维光子晶体异质结构的带隙分析

提出异质结构的二维光子晶体模型,用时域有限差分法计算其带隙,数值计算结果表明,其带隙宽度变大.     

石英亚沸蒸馏器蒸馏浓缩富集FAAS法同时测定自来水中的铅和镉

把分析测试工作中常用来制备高纯水的石英亚沸蒸馏器用于浓缩富集自来水中的铅、镉,并用火焰原子吸收光谱法对铅、镉进行测定.     

Effect of Conversion Process([I]-P→ΛΛ) in[I]--Hypernuclei

Effect of conversion process ([I]-P→ΛΛ) on[I]--hypernucleus is studied for [I]12-Be. It is found that theconversion process has a certain extent effect on properties of low-lying states of the[I]--hypernuclei.     

Mg,Si和S同位素链的壳反常

采用考虑轴向形变的相对论平均场理论,以双中子、双质子分离能隙δ_2n/δ_2p作为壳封闭的特征,分析了Mg,Si和S同位素链的壳封闭和壳反常,发现Mg同位素链在N=12,16处,Si同位素链在N=14,S同位素链在N?=16处出现明显的壳封闭结构,Si同位素链在N=28处壳层结构并没有消失.Mg,Si和S同位素链在N=20处壳效应并不太明显.     

A Novel Heat-resisting Surfactant for the Modification of Alumina Nanoparticles

An casy preparation of controlled alumina nanoparticles by the solution precipitate method has been carried out using dendrimer as surfactant.The effects of the amount and size of surfactant on morphological control of powder have also been discussed.     

“阳”加速器钼丝X-pinch初步实验研究

 在“阳”加速器上进行了直径分别为10, 15, 20 μm, 交叉角为32°,45°,60°的钼（Mo）丝X-pinch实验。“阳”加速器产生的电流峰值约520 kA，上升时间80 ns。实验中通过X射线功率谱仪和纳秒分幅相机等仪器对Mo丝X-pinch辐射特性进行了诊断。实验表明：Mo丝X-pinch过程中会出现多次X射线爆发，箍缩过程中产生的热点辐射出能量超过3 keV的X射线，探测到的最小热点直径小于30 μm。     

介质折射率对一维三元光子晶体带隙的影响

利用光学传输矩阵法,数值模拟了一维二元、三元光子晶体的带隙结构,得出:三元光子晶体的主带隙略宽于二元光子晶体的主带隙;三元光子晶体的主带隙主要取决于最高折射率的介质和最低折射率的介质,而与居于两者之间的介质关系不大,并作出了相应的关系曲线。最后推导了三元光子晶体的色散关系。     

运输网络中最小饱和流的求解

运输网络中常常由于流量的不可控易发生堵塞现象.网络发生堵塞时的饱和流值达不到最大流值.最小饱和流是运输网络,尤其是紧急疏散网络设计中很重要的一个参数.通过建立网络的割集矩阵来确定网络的堵塞截面,基于此提出了求解最小饱和流的线性规划模型及算法.举例分析表明,利用该算法计算网络最小饱和流更加简便、更加实用.     

BN坩埚中的AIN单晶生长

AIN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在制作大功率微电子器件和紫外探测器等方面，具有广泛的应用前景。AIN在光电子领域的应用潜力也不容忽视。AIN作为GaN材料的衬底，与目前广泛使用的SiC和宝石衬底相比，具有晶格失配位错密度低、热导率高、热膨胀系数差别小等优点，因而能大大提高GaN器件的性能和使用寿命。目前，各国竞相投入大量的人力、物力进行AIN单晶的研究工作。我国在这方面还鲜有报道。本文报道了山东大学在AIN单晶生长探索方面取得的一些进展。